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RJK03M9DNS-00#J5

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A(Ta) 最大功耗: 10W(Tc) 供应商设备包装: 8-HWSON (3.3x3.3) 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 800

数量 单价 合计
800+ 2.75230 2201.84160
  • 库存: 2564298
  • 单价: ¥2.75230
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,201.84
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 漏源电压标 (Vdss) 30伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 包装/外壳 8-PowerWDFN
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 14A(Ta)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 供应商设备包装 8-HWSON (3.3x3.3)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11.1毫欧姆@7A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 980 pF@10 V
  • 最大功耗 10W(Tc)

RJK03M9DNS-00#J5 产品详情

RJK03M9DNS-00#J5所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RJK03M9DNS-00#J5 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJK03M9DNS-00#J5价格参考¥2.752302,你可以下载 RJK03M9DNS-00#J5中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJK03M9DNS-00#J5规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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