9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMC3AM832TA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMC3AM832TA参考价格为0.67000美元。Diodes Incorporated ZXMC3AM832TA封装/规格：MOSFET N/P-CH 30V 2.9A/2.1A 8MLP。您可以下载ZXMC3AM832TA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMC3A18DN8TA是MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC，包括ZXMC3A系列，它们设计用于Digi-ReelR封装，单位重量如数据表注释所示，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供2信道数量的信道，该器件具有8-SO供应商器件包，配置为N信道P信道，FET类型为N和P信道，最大功率为1.8W，晶体管类型为1 N信道1 P信道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为1800pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为5.8A、4.8A，最大Id Vgs为25mOhm@5.8A、10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg Vgs为36nC@10V，Pd功耗为2.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为8.5 ns 38 ns，上升时间为8.7 ns 9.5 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为7.6 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds漏极源极电阻为25 mΩ，晶体管极性为N沟道P沟道，典型关断延迟时间为33ns 60ns，典型接通延迟时间为5.5ns 4.8ns，信道模式为增强。
ZXMC3A17DN8TC是MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC，包括1V@250μA（最小）Vgs和最大Id，它们设计为与8-SOP供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于50 mOhm@7.8A，10V，提供最大功率特性，如1.25W，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件提供600pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有12.2nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为N和P通道，FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为4.1A，3.4A。
ZXMC3A18DN8TC，带有ZETEX制造的电路图。ZXMC3A18DN8TC采用SOP8封装，是IC芯片的一部分。
