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RJK60S4DPP-E0#T2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 600 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A(Tc) 最大功耗: 29.9W(Tc) 供应商设备包装: TO-220FP 工作温度: 150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 瑞萨电子 (Renesas)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 71

数量 单价 合计
71+ 30.85475 2190.68753
  • 库存: 114548
  • 单价: ¥30.85475
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥2,190.69
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规格参数

  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 安装类别 通孔
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) -
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) -
  • 包装/外壳 TO-220-3全套
  • 漏源电压标 (Vdss) 600 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 16A(Tc)
  • 工作温度 150摄氏度(TJ)
  • 制造厂商 瑞萨电子 (Renesas)
  • 供应商设备包装 TO-220FP
  • 最大栅源极电压 (Vgs) -
  • 部件状态 过时的
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 18 nC@10 V
  • 场效应管特性 超级结
  • 导通电阻 Rds(ON) 290毫欧姆@8A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 988 pF@25 V
  • 最大功耗 29.9W(Tc)

RJK60S4DPP-E0#T2 产品详情

RJK60S4DPP-E0#T2所属分类:分立场效应晶体管 (FET),RJK60S4DPP-E0#T2 由 瑞萨电子 (Renesas) 设计生产,可通过久芯网进行购买。RJK60S4DPP-E0#T2价格参考¥30.854754,你可以下载 RJK60S4DPP-E0#T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询RJK60S4DPP-E0#T2规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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Renesas Electronics Corporation通过完整的半导体解决方案提供值得信赖的嵌入式设计创新,使数十亿连接的智能设备能够改善人们的工作和生活方式—安全可靠。作为微控制器...

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