9icnet为您提供由Central Semiconductor Corp设计和生产的CXDM3069N TR PBFREE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CXDM3069N TR PBFREE参考价格$6.66000。中央半导体公司CXDM3069N TR PBFREE封装/规格：MOSFET N-CH 30V 6.9A SOT-89。您可以下载CXDM3069N TR PBFREE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CXDM1002N TR是MOSFET N-Ch Enh模式FET 100Vds 20Vgs 1.2W，包括CXDM10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-89-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds漏极-源极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为6nC，沟道模式为增强。
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CXD9990R-JDTL，带有SONY制造的电路图。CXD9990R-JDTL以QFP-128封装形式提供，是IC芯片的一部分。
