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CXDM1002N TR PBFREE

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 2A(Ta) 最大功耗: 1.2W(Ta) 供应商设备包装: SOT-89 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 中央半导体 (Central)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.89476 7.89476
10+ 7.05458 70.54585
100+ 5.49736 549.73610
500+ 4.54129 2270.64900
1000+ 3.58523 3585.23600
2000+ 3.34622 6692.44000
  • 库存: 1649
  • 单价: ¥7.89476
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.89
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2A(Ta)
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 550 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1.2W(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-89
  • 包装/外壳 至243AA
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 5 V
  • 制造厂商 中央半导体 (Central)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) 20伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 300毫欧姆 @ 2A, 10V
  • 色彩/颜色 灰色

CXDM1002N TR PBFREE 产品详情

CXDM1002N TR PBFREE所属分类:分立场效应晶体管 (FET),CXDM1002N TR PBFREE 由 中央半导体 (Central) 设计生产,可通过久芯网进行购买。CXDM1002N TR PBFREE价格参考¥7.894761,你可以下载 CXDM1002N TR PBFREE中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询CXDM1002N TR PBFREE规格参数、现货库存、封装信息等信息!

中央半导体 (Central)

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自1974年以来,Central Semiconductor一直在全球制造用于电子产品的创新分立半导体。目前,设备包括标准和定制小信号晶体管、双极功率晶体管、MOSFET、二极管、整流器、保护设备、限流...

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