9icnet为您提供由Central Semiconductor Corp设计和生产的CXDM4060P TR PBFREE，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。CXDM4060P TR PBFREE参考价格为0.94000美元。中央半导体公司CXDM4060P TR PBFREE封装/规格：MOSFET P-CH 40V 6A SOT-89。您可以下载CXDM4060P TR PBFREE英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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CXDM1002N TR是MOSFET N-Ch Enh模式FET 100Vds 20Vgs 1.2W，包括CXDM10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.004603盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-89-3，以及Si技术，该设备也可以用作1信道数信道。此外，该配置为单一配置，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.2 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为2 a，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，并且Vgs第栅极-源极阈值电压为2.1V，Rds漏极-源极电阻为140mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为50ns，典型接通延迟时间为32ns，Qg栅极电荷为6nC，沟道模式为增强。
CXDM3069N TR是MOSFET SMD小型Sig MOSFET N-Ch Enh模式，包括12 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在30 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.004603盎司，提供晶体管类型功能，如1 N沟道，晶体管极性设计为在N沟道工作，以及Si技术，该设备也可以用作CXDM30系列。此外，Rds漏极-源极电阻为50 mOhm，器件提供11 nC Qg栅极电荷，器件具有1.2 W的Pd功耗，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-89-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+150 C，并且Id连续漏极电流为6.9A，并且配置为单一，并且信道模式为增强。
CXDM4060N TR是MOSFET SMD Small Sig MOSFET NCh Enh Mode Hi Crnt，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，数据表注释中显示了用于6 a的连续漏电流，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，以及SMD/SMT安装样式，该设备也可以用作1信道数信道。此外，封装外壳为SOT-89-3，器件采用卷筒封装，器件具有1.2W的Pd功耗，Qg栅极电荷为12nC，Rds漏极-源极电阻为45m欧姆，系列为CXDM40，技术为Si，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1N沟道，单位重量为0.004603盎司，Vds漏极-源极击穿电压为40V，Vgs栅极-源极电压为20V。
