PXN018-30QLJ

Name: PXN018-30QLJ
Brand: 安世半导体 (Nexperia)
SKU: 7130681-PXN018-30QLJ
Price: 3.693879 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、10.9W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 安世半导体 (Nexperia)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

展开

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	3.69387	3.69387
10+	3.17239	31.72390
25+	2.96379	74.09487
100+	2.37132	237.13250
250+	2.20184	550.46050
500+	1.86301	931.50950
1000+	1.43959	1439.59900
3000+	1.31813	3954.40500

库存: 3482
单价: ¥3.69388
数量:
- +
总计: ¥3.69

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
包装/外壳 8-PowerVDFN
制造厂商安世半导体 (Nexperia)
漏源电压标 (Vdss) 30伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.8 nC@10 V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 447 pF @ 15 V
供应商设备包装 MLPAK33
漏源电流 (Id) @ 温度 7.5A (Ta), 19.2A (Tc)
导通电阻 Rds(ON) 18毫欧姆@7.5A，10V
最大功耗 1.7W（Ta）、10.9W（Tc）
色彩/颜色 -

PXN018-30QLJ 产品详情

3.62英寸x 1.50英寸[92x92x38毫米]

交流电机电气保护：阻抗保护外壳材料：zamak叶轮材料：塑料UL 94 VO重量：0615 kg

PXN018-30QLJ 相关器件

型号	制造商	描述	价格
PXN5R4-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、66A（Tc）最大功耗: 1.8W（Ta）、39W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.14246
PXN018-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、10.9W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.69388
PXN017-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、10.9W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.62145
PXN010-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A（Ta）、28A（Tc）最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥3.83874
PXN9R0-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta），41.8A（Tc）最大功耗: 1.9W（Ta），26W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.20088
PXN7R7-25QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 11.8A（Ta）、32A（Tc）最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.34574
PXN6R2-25QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 25伏漏源电流 (Id) @ 温度: 13.1A（Ta）、65A（Tc）最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.34574
PXN8R3-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta）、31A（Tc）最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.34574
PXN6R7-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A（Ta）、62A（Tc）最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥4.34574
PXN4R7-30QLJ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 30伏漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、74A（Tc）最大功耗: 1.8W（Ta）、42W（Tc）供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥5.93918

PXN018-30QLJ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PXN018-30QLJ 由安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PXN018-30QLJ价格参考￥3.693879，你可以下载 PXN018-30QLJ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PXN018-30QLJ规格参数、现货库存、封装信息等信息！