PXN8R3-30QLJ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta）、31A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.34574 | 4.34574 |
| 10+ | 3.74457 | 37.44579 |
| 25+ | 3.49687 | 87.42180 |
| 100+ | 2.79648 | 279.64840 |
| 250+ | 2.59701 | 649.25350 |
| 500+ | 2.19749 | 1098.74800 |
| 1000+ | 1.69802 | 1698.02500 |
| 3000+ | 1.55483 | 4664.49900 |
- 库存: 2854
- 单价: ¥4.34574
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.35
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 最大功耗 1.7W（Ta）、12.5W（Tc）
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 760 pF @ 15 V
- 供应商设备包装 MLPAK33
- 漏源电流 (Id) @ 温度 11.4A（Ta）、31A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 8.3毫欧姆 @ 11.4A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 15.9 nC@10 V
- 色彩/颜色 银
PXN8R3-30QLJ 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | PXN5R4-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 14A（Ta）、66A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、39W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.14246 |
 | PXN018-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.5A (Ta), 19.2A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、10.9W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.69388 |
 | PXN017-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 7.9A (Ta), 20A (Tc) 最大功耗: 1.7W（Ta）、10.9W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.62145 |
 | PXN010-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A（Ta）、28A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
 | PXN9R0-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta），41.8A（Tc） 最大功耗: 1.9W（Ta），26W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
 | PXN7R7-25QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.8A（Ta）、32A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
 | PXN6R2-25QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 25伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 13.1A（Ta）、65A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
| PXN8R3-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta）、31A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
 | PXN6R7-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A（Ta）、62A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
 | PXN4R7-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 15A（Ta）、74A（Tc） 最大功耗: 1.8W（Ta）、42W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
PXN8R3-30QLJ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PXN8R3-30QLJ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PXN8R3-30QLJ价格参考￥4.345740，你可以下载 PXN8R3-30QLJ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PXN8R3-30QLJ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
