PXN6R7-30QLJ
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A（Ta）、62A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安世半导体 (Nexperia)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 4.34574 | 4.34574 |
| 10+ | 3.85322 | 38.53223 |
| 25+ | 3.62145 | 90.53625 |
| 100+ | 2.95437 | 295.43790 |
| 250+ | 2.74419 | 686.04750 |
| 500+ | 2.33554 | 1167.77300 |
| 1000+ | 1.86837 | 1868.37800 |
| 3000+ | 1.81775 | 5453.25300 |
- 库存: 272
- 单价: ¥4.34574
-
数量:
- +
- 总计: ¥4.35
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 包装/外壳 8-PowerVDFN
- 制造厂商 安世半导体 (Nexperia)
- 漏源电压标 (Vdss) 30伏
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.2V@250A.
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 1150 pF@15 V
- 供应商设备包装 MLPAK33
- 最大功耗 1.7W（Ta），40.3W（Tc）
- 漏源电流 (Id) @ 温度 12.7A（Ta）、62A（Tc）
- 导通电阻 Rds(ON) 6.7毫欧姆 @ 12.7A, 10V
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 24.8 nC@10 V
- 色彩/颜色 -
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器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
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 | PXN010-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 10.3A（Ta）、28A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.83874 |
 | PXN9R0-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta），41.8A（Tc） 最大功耗: 1.9W（Ta），26W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.20088 |
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 | PXN8R3-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 11.4A（Ta）、31A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta）、12.5W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
| PXN6R7-30QLJ | 安世半导体 (Nexperia) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 12.7A（Ta）、62A（Tc） 最大功耗: 1.7W（Ta），40.3W（Tc） 供应商设备包装: MLPAK33 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥4.34574 |
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PXN6R7-30QLJ所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，PXN6R7-30QLJ 由 安世半导体 (Nexperia) 设计生产，可通过久芯网进行购买。PXN6R7-30QLJ价格参考￥4.345740，你可以下载 PXN6R7-30QLJ中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询PXN6R7-30QLJ规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安世半导体 (Nexperia)
Nexperia是大批量生产基本半导体的领先专家，这些半导体是世界上每一种电子设计所需的元件。该公司广泛的产品组合包括二极管、双极晶体管、ESD保护装置、MOSFET、GaN FET以及模拟和逻辑IC。...
