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IXFP76N15T2
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IXFP76N15T2

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 150伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 76A (Tc) 最大功耗: 350W (Tc) 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

展开

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 36.14207 36.14207
10+ 32.45543 324.55435
100+ 26.59158 2659.15830
500+ 22.63681 11318.40750
1000+ 19.09127 19091.27000
2000+ 18.59542 37190.84200
  • 库存: 36
  • 单价: ¥36.14207
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥36.14
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规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4.5V @ 250A
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 供应商设备包装 TO-220-3
  • 包装/外壳 至220-3
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 76A (Tc)
  • 漏源电压标 (Vdss) 150伏
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 97 nC@10 V
  • 最大功耗 350W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 20毫欧姆@38A，10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5800 pF @ 25 V

IXFP76N15T2 产品详情

这些器件的漏极至源极电压额定值为40V至170V，提供高达600安培（Tc=@25oC）的高电流能力。这些设备的高电流额定值和可用的紧凑封装选项相结合，为设计者提供了在更小的占地面积内控制更多功率的能力。此外，这些器件通过在高功率开关应用中减少或消除多个并联的低电流额定MOSFET器件来促进器件整合。由此产生的结果是减少了部件数量以及所需驱动部件的数量，从而提高了整个系统的简单性、可靠性和成本。

特色

  • 高电流能力（高达600A）
  • 低RDS（ON）和栅极电荷（Qg）
  • 采用IXYS HiPerFETTM技术实现快速电源切换性能
  • 雪崩能力
优势：

  • 消除了多个并联的低额定电流MOSFET器件
  • 提供在较小占地面积内控制更多功率的能力
  • 提高整体系统可靠性和成本

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 同步整流
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动
  • 直流斩波器
  • 高速功率开关应用

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器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥341.95904
IXFN130N90SKIXFN130N90SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B¥1,056.23935
IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
IXFH50N20IXFH50N20艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥81.33777
IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥96.25814
IXFT120N25X3HVIXFT120N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥104.73233
IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥138.04967
IXFH16N120PIXFH16N120P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥150.86961
IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.98166
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFP76N15T2所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFP76N15T2 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFP76N15T2价格参考￥36.142071，你可以下载 IXFP76N15T2中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFP76N15T2规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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