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IXFH140N10P
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IXFH140N10P

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140A（Tc） 最大功耗: 600W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 70.98042 70.98042
10+ 64.12139 641.21394
100+ 53.08466 5308.46630
500+ 46.22534 23112.67350
1000+ 40.66743 40667.43500
  • 库存: 60
  • 单价: ¥70.98042
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥70.98
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规格参数

  • 宽（英寸） -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 包装/外壳 至247-3
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 140A（Tc）
  • 供应商设备包装 TO-247AD (IXFH)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 155 nC@10 V
  • 最大功耗 600W (Tc)
  • 导通电阻 Rds(ON) 11毫欧姆@70A，10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 4700 pF @ 25 V

IXFH140N10P 产品详情

IXFH140N10P HiPerFET（IXF…）将Polar Standard产品系列的优势与更快的体二极管相结合，其反向恢复时间（trr）减少，使其适合于相移桥电机控制和不间断电源应用（UPS）。这一系列HiPerFET提供最低的RDS（开启）、低RthJC、低Qg和增强的DV/DT能力。

特色

  • 国际标准包装
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定值
  • 快速本质整流器
  • 低QG和RDS（打开）
  • 低漏极至接线片电容
  • 低封装电感
优势：

  • 易于安装
  • 节省的空间

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动
  • 高速功率开关应用

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器件图
型号
制造商
描述
价格
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IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
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IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥96.25814
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IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥138.04967
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IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFH140N10P所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFH140N10P 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFH140N10P价格参考￥70.980420，你可以下载 IXFH140N10P中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFH140N10P规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

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