使用电荷补偿原理和专有工艺技术开发的这些新器件具有最低的导通电阻、低栅极电荷和优异的dv/dt性能。它们的雪崩能力也增强了器件的耐用性。此外,由于快速软恢复体二极管,超结MOSFET有助于减少开关损耗和电磁干扰(EMI)。
特色
- 超低导通电阻RDS(on)和栅极电荷Qg
- 快体二极管
- dv/dt耐用性
- 雪崩等级
- 低封装电感
- 国际标准包
- 更高的效率
- 高功率密度
- 易于安装
- 节省空间
应用
- 工业开关模式和谐振模式电源
- 电动汽车蓄电池充电器
- 交流和直流电机驱动
- DC-DC转换器
- 可再生能源逆变器
- 功率因数校正(PFC)电路
- 机器人和伺服控制