久芯网
BOM 购物车
IXFN52N100X
收藏 IXFN52N100X数据手册PDF

IXFN52N100X

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1000伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 44A (Tc) 最大功耗: 830W (Tc) 供应商设备包装: SOT-227B 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 392.92732 392.92732
10+ 366.57765 3665.77655
100+ 318.28924 31828.92410
  • 库存: 26
  • 单价: ¥392.92733
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥392.93
在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET（金属氧化物）
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
  • 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 漏源电压标 (Vdss) 1000伏
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 安装类别 机箱安装
  • 供应商设备包装 SOT-227B
  • 包装/外壳 SOT-227-4，迷你超直瞄
  • 最大功耗 830W (Tc)
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 44A (Tc)
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6V @ 4毫安
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 245 nC@10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 125毫欧姆@26A，10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 6725 pF @ 25 V

IXFN52N100X 产品详情

IXFN52N90P HiPerFET（IXF…）将Polar Standard产品系列的优势与更快的体二极管相结合，其反向恢复时间（trr）减少，使其适合于相移桥电机控制和不间断电源应用（UPS）。这一系列HiPerFET提供最低的RDS（开启）、低RthJC、低Qg和增强的DV/DT能力。

特色

  • 国际标准包装
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定值
  • 快速本质整流器
  • 低QG和RDS（打开）
  • 低漏极至接线片电容
  • 低封装电感
优势：

  • 易于安装
  • 节省的空间

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动
  • 高速功率开关应用

IXFN52N100X 相关器件

器件图
型号
制造商
描述
价格
IXFN27N120SKIXFN27N120SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 1200V（1.2千伏） 供应商设备包装: SOT-227B¥341.95904
IXFN130N90SKIXFN130N90SK艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 900V 供应商设备包装: SOT-227B¥1,056.23935
IXFP3N120IXFP3N120艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3A (Tc) 最大功耗: 200W（Tc） 供应商设备包装: TO-220-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥61.49222
IXFH50N20IXFH50N20艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 300W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥81.33777
IXFH50N30Q3IXFH50N30Q3艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 690W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥96.25814
IXFT120N25X3HVIXFT120N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A（Tc） 最大功耗: 520W (Tc) 供应商设备包装: TO-268AA 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥104.73233
IXFT50N85XHVIXFT50N85XHV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 850 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 890W (Tc) 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥138.04967
IXFH16N120PIXFH16N120P艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 16A（Tc） 最大功耗: 660W (Tc) 供应商设备包装: TO-247AD (IXFH) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥150.86961
IXFT170N25X3HVIXFT170N25X3HV艾赛斯.力特 (IXYS)场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 250伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 170A（Tc） 最大功耗: 960W（Tc） 供应商设备包装: TO-268HV (IXFT) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）¥158.98166
IXFN180N10IXFN180N10艾赛斯.力特 (IXYS)¥68.49538
IXFN52N100X所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，IXFN52N100X 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产，可通过久芯网进行购买。IXFN52N100X价格参考￥392.927325，你可以下载 IXFN52N100X中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询IXFN52N100X规格参数、现货库存、封装信息等信息！

艾赛斯.力特 (IXYS)

艾赛斯.力特 (IXYS)

从消费电子产品到汽车和工业设施，Littelfuse产品都是使用电能的应用中至关重要的组件。他们提供业界最广泛、最深入的电路保护产品组合，在功率控制和传感方面的平台也在不断增长。作为加速有机增长和战略收...

展开

该制造商其他商品

会员中心 微信客服
客服
回到顶部