9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFN110N85X，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFN110N85X参考价格为63.67000美元。IXYS IXFN110N85X封装/规格：MOSFET N-CH 850V 110A SOT227B。您可以下载IXFN110N85X英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFN102N30P是MOSFET 102 Amps 300V 0.033 Rds，包括IXFN102N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于PolarHV HiPerFET，以及SOT-227-4封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件采用单双源配置，该器件具有1 N信道晶体管型，Pd功耗为570 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为30 ns，上升时间为28 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为86A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为33mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为130ns，典型接通延迟时间为30ns，Qg栅极电荷为224nC，正向跨导Min为45S，并且信道模式是增强。
IXFN106N20是MOSFET 200V 106A，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于1.340411盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如30 ns，典型的关闭延迟时间设计为75 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFN106N20系列，上升时间为80ns，Rds漏极源极电阻为20mOhms，Pd功耗为520W，封装为Tube，封装盒为SOT-227-4，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为106 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为30 ns，配置为单双源，信道模式为增强型。
IXFN100N50Q3是MOSFET Q3Class HiPerFET Pwr MOSFET 500V/82A，包括单一配置，它们设计为以82A Id连续漏极电流运行，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，该SMD/SMT提供多个信道功能，如1信道，封装外壳设计用于SOT-227-4，以及管封装，该器件也可以用作960W Pd功率耗散。此外，Qg栅极电荷为255 nC，该器件的漏极-源极电阻为49 mOhms Rds，器件的上升时间为250 ns，系列为IXFN100N50，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFN102N30，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFN102N30在模块包中提供，是模块的一部分。
