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FCH125N60E带有引脚细节，包括管封装，设计用于1.340411盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供278 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V+/-30 V，Id连续漏极电流为29 A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为106ns，典型接通延迟时间为23ns，Qg栅极电荷为78nC，正向跨导最小值为25S，沟道模式为增强。
FCH110N65F_F155，带有Fairchild制造的用户指南。是晶体管-FET、MOSFET-Single的一部分，支持“MOSFET SuperFET2 650V、MOSFET Super FET2 650V、110 mOhm、FRFET”。
FCH111，带有SIEM制造的电路图。FCH111采用DIP封装，是IC芯片的一部分。
FCH130N60，带有Fairchild制造的EDA/CAD模型。是MOSFET、MOSFET的一部分，并支持“MOSFET SuperFET2 600V、N沟道600V 28A（Tc）278W（Tc）通孔TO-247、Trans MOSFET N-CH 600V 28A 3引脚（3+Tab）TO-247管、MOSFET SuperMOSFET2 600V、130mohm”。
