9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD50N06-09L_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD50N06-09L_GE3参考价格$5.26000。Vishay Siliconix SQD50N06-09L_GE3封装/规格：MOSFET N-CH 60V 50A TO252。您可以下载SQD50N06-09L_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD50N05-11L-GE3是MOSFET N-CH 50V 50A TO252，包括SQ系列系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为75 W，其最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为7.5 ns，上升时间为11.5 ns，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为50A，Vds漏极-源极击穿电压为50V，Vgs栅极-源极阈值电压为2.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为9mm欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为22.5ns，典型接通延迟时间为8.5ns，Qg栅极电荷为34.6nC，正向跨导Min为58S。
SQD50N04-5m6_GE3，带有用户指南，包括TrenchFET商标，它们设计用于Si技术，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，该系列提供卷盘等包装功能。
SQD50N06-07L-GE3是由VIS制造的Trans-MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK。SQD50N06-07L-GE3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分，支持Trans-MOSFET N-CH 60V 50A Automotive 3引脚（2+Tab）DPAK。
