这个平方米Vishay Semiconductor的MOSFET系列专为需要坚固和高可靠性的所有汽车应用而设计。
SQ坚固系列MOSFET的优点•AEC-Q101合格
•结温高达+175°C
•低导通电阻n沟道和p沟道TrenchFET®技术
•创新的节省空间包装选项
AEC-Q101型
SQD100N02-3M5L_GE3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 品牌: 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 12.16807 | 12.16807 |
| 10+ | 10.85710 | 108.57107 |
| 100+ | 8.46622 | 846.62260 |
| 500+ | 6.99359 | 3496.79950 |
| 1000+ | 5.52126 | 5521.26300 |
| 2000+ | 5.52126 | 11042.52600 |
- 库存: 1705
- 单价: ¥12.16807
-
数量:
- +
- 总计: ¥12.17
在线询价
温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。
规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 安装类别 表面安装
- 工作温度 -55摄氏度~175摄氏度（TJ）
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 制造厂商 黑森尔 (Vishay Siliconix)
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 漏源电流 (Id) @ 温度 100A（Tc）
- 包装/外壳 TO-252-3，DPak（2根引线+接线片），SC-63
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 110 nC@10 V
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.5伏@250A.
- 最大功耗 83W (Tc)
- 供应商设备包装 TO-252AA
- 导通电阻 Rds(ON) 3.5欧姆@30A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 5500 pF @ 10 V
- 色彩/颜色 -
SQD100N02-3M5L_GE3 产品详情
N沟道MOSFET，汽车SQ加固系列，Vishay半导体
SQD100N02-3M5L_GE3 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | SQD50N06-09L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥38.09765 |
| SQD100N02-3M5L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 100A（Tc） 最大功耗: 83W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.16807 |
 | SQD50P04-09L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.09085 |
 | SQD50P06-15L_GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 136W（Tc） 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥6.66781 |
 | SQD50P04-13L_GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 3W (Ta), 136W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥22.09085 |
 | SQD50N04-5M6_T4GE3 | 黑森尔 (Vishay Siliconix) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 40伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 50A (Tc) 最大功耗: 71W (Tc) 供应商设备包装: TO-252AA 工作温度: -55摄氏度~175摄氏度（TJ） | ¥12.67508 |
 | SQD40P10-40L | ¥3.75907 | ||
| SQD70140EL | ¥4.16901 | ||
| SQD19P06-60L | -- | ¥4.70434 | |
| SQD30N05-20L-GE3 | 威世半导体 (Vishay Cera-Mite) | -- | ¥6.88668 |
SQD100N02-3M5L_GE3所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，SQD100N02-3M5L_GE3 由 黑森尔 (Vishay Siliconix) 设计生产，可通过久芯网进行购买。SQD100N02-3M5L_GE3价格参考￥12.168072，你可以下载 SQD100N02-3M5L_GE3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询SQD100N02-3M5L_GE3规格参数、现货库存、封装信息等信息！
黑森尔 (Vishay Siliconix)
Vishay的产品组合是无可匹敌的分立半导体（二极管、MOSFET和光电子）和无源元件（电阻器、电感器和电容器）的集合。这些组件几乎用于工业、计算、汽车、消费者、电信、军事、航空航天和医疗市场的所有类型...
