9icnet为您提供由Vishay Siliconix设计和生产的SQD50P04-09L_GE3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。SQD50P04-09L_GE3参考价格$3.05000。Vishay Siliconix SQD50P04-09L_GE3封装/规格：MOSFET P-CH 40V 50A TO252。您可以下载SQD50P04-09L_GE3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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SQD50N10-8M9L-GE3是MOSFET 100V 50A 45瓦N-CH Automotive，其中包括SQ系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.050717盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于TrenchFET，以及to-252-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为136 W，最大工作温度范围为+175 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为120 ns，上升时间为12 ns，Id连续漏电流为50 a，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs第栅极-源极阈值电压为2V，Rds导通漏极-漏极电阻为8.99mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为95ns，典型接通延迟时间为12ns，Qg栅极电荷为46nC。
SQD50N10-8m9L_GE3，带用户指南，包括2 V Vgs th栅极-源极阈值电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量如数据表注释所示，用于0.050717盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如12 ns，典型的关闭延迟时间设计为95 ns，以及N沟道晶体管极性，该设备也可以用作TrenchFET商品名。此外，该技术为Si，该器件为SQ系列，该器件具有12 ns的上升时间，漏极-源极电阻Rds为8.99 mOhms，Qg栅极电荷为46 nC，Pd功耗为136 W，封装为卷轴式，封装盒为TO-252-3，安装方式为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，它的最大工作温度范围为+175℃，Id连续漏电流为50 A，下降时间为120 ns，配置为单一。
SQD50P03-07_GE3，带有电路图，其最大工作温度范围为+175 C，它们设计用于卷筒包装，系列如数据表注释所示，用于SQ系列，提供Si等技术特性，商品名设计用于TrenchFET，以及P沟道晶体管极性，该器件还可以用作-30 V Vds漏极-源极击穿电压。
SQD50P03-07-GE3，带有VIS制造的EDA/CAD模型。SQD50P03-07-GE3采用TO-252封装，是IC芯片的一部分。
