9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN2B01FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2B01FTA参考价格为0.50000美元。Diodes Incorporated ZXMN2B01FTA封装/规格：MOSFET N-CH 20V 2.1A SOT23-3。您可以下载ZXMN2B01FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN2AMCTA是MOSFET 2N-CH 20V 2.9A DFN，包括ZXMN2系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装外壳功能，如8-WDFN暴露焊盘，技术设计为在硅中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用8-DFN（3x2）供应商设备包，该设备具有双重配置，FET类型为2N信道（双重），最大功率为1.7W，晶体管类型为2N-信道，漏极至源极电压Vdss为20V，输入电容Cis-Vds为299pF@15V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@4A，4.5V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.1nC@4.5V，且Vgs栅极-源极电压为12 V，Id连续漏极电流为3.7 A，Vds漏极-源极击穿电压为20 V，漏极-漏极电阻为300 mOhm，晶体管极性为N沟道，并且信道模式是增强。
ZXMN2AM832TA是MOSFET 2N-CH 20V 2.9A 8MLP，包括700mV@250μA（最小）Vgs th Max Id，它们设计为与8-MLP（3x2）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于120 mOhm@4A，4.5V，提供功率最大功能，如1.7W，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供299pF@15V输入电容Ciss Vds，该器件具有3.1nC@4.5V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为20V，25°C电流连续漏极Id为2.9A。
ZXMN2A14FTC，电路图由10ZETEX制造。ZXMN2A14FTC采用SOT23-3封装，是IC芯片的一部分。
