9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT32N100XHV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT32N100XHV参考价格为23.44000美元。IXYS IXFT32N100XHV封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 32A TO268HV。您可以下载IXFT32N100XHV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的，可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如IXFT32N100XHV价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
IXFT30N60P是MOSFET 600V 30A，包括IXFT30N80系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及to-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为500 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为20 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为30A，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Rds导通漏极-漏极电阻为240mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为29ns，正向跨导最小值为27S，沟道模式为增强。
IXFT320N10T2是MOSFET沟槽T2 HiperFET功率MOSFET，包括4 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100 V，具有0.229281 oz等单位重量特性，典型开启延迟时间设计为36 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchT2 HiperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT320N10系列，上升时间为46纳秒，漏极-源极电阻Rds为3.5毫欧，Qg栅极电荷为430纳秒，Pd功耗为1千瓦，封装为管，封装外壳为TO-268-2，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为320 A，正向跨导最小值为80 S，下降时间为73 ns，信道模式为增强。
IXFT30N60Q是MOSFET 30 Amps 600V 0.23W Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于16 ns，提供Id连续漏极电流特性，如30 a，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-268-2封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为500W，Rds漏极-源极电阻为230mOhm，上升时间为32ns，系列为IXFT30N60，技术为Si，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N信道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为30ns，单位重量为0.158733oz，Vds漏极-源极击穿电压为600V，Vgs栅极-源极电压为20V。
