IXFK120N30P3
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 300伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 120A(Tc) 最大功耗: 1130W(Tc) 供应商设备包装: TO-264AA (IXFK) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
数量 | 单价 | 合计 |
---|---|---|
1+ | 131.53106 | 131.53106 |
10+ | 120.89124 | 1208.91244 |
100+ | 102.10026 | 10210.02640 |
500+ | 90.82509 | 45412.54850 |
1000+ | 85.41552 | 85415.52000 |
- 库存: 137
- 单价: ¥131.53106
-
数量:
- +
- 总计: ¥131.53
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规格参数
- 宽(英寸) -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET(金属氧化物)
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
- 漏源电流 (Id) @ 温度 120A(Tc)
- 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
- 安装类别 通孔
- 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
- 漏源电压标 (Vdss) 300伏
- 包装/外壳 至264-3,至264AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 5V @ 4毫安
- 供应商设备包装 TO-264AA (IXFK)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 150 nC@10 V
- 最大功耗 1130W(Tc)
- 导通电阻 Rds(ON) 27毫欧姆@60A,10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 8630 pF @ 25 V
IXFK120N30P3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXFK120N30P3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXFK120N30P3价格参考¥131.531064,你可以下载 IXFK120N30P3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXFK120N30P3规格参数、现货库存、封装信息等信息!
艾赛斯.力特 (IXYS)
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