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IXFB40N110Q3

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 1100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 40A (Tc) 最大功耗: 1560W(Tc) 供应商设备包装: PLUS264 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 345.92090 345.92090
10+ 322.70016 3227.00167
100+ 280.19158 28019.15870
  • 库存: 22
  • 单价: ¥345.92090
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥345.92
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 安装类别 通孔
  • 制造厂商 艾赛斯.力特 (IXYS)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±30V
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 300 nC @ 10 V
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 40A (Tc)
  • 包装/外壳 至264-3,至264AA
  • 供应商设备包装 PLUS264
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 6.5V @ 8毫安
  • 漏源电压标 (Vdss) 1100伏
  • 导通电阻 Rds(ON) 260毫欧姆@20A,10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 14000 pF @ 25 V
  • 最大功耗 1560W(Tc)
  • 色彩/颜色 黑色

IXFB40N110Q3 产品详情

IXFB40N110P HiPerFET(IXF..)将Polar Standard产品系列的优势与更快的体二极管相结合,其反向恢复时间(trr)减少,使其适合于相移桥电机控制和不间断电源应用(UPS)。这一系列HiPerFET提供最低的RDS(开启)、低RthJC、低Qg和增强的DV/DT能力。

特色

  • 国际标准包装
  • 动态dv/dt额定值
  • 雪崩额定值
  • 快速本质整流器
  • 低QG和RDS(打开)
  • 低漏极至接线片电容
  • 低封装电感
优势:

  • 易于安装
  • 节省的空间

应用

  • 开关模式和谐振模式电源
  • DC-DC转换器
  • 电池充电器
  • 不间断电源
  • 交流电机驱动
  • 高速功率开关应用
IXFB40N110Q3所属分类:分立场效应晶体管 (FET),IXFB40N110Q3 由 艾赛斯.力特 (IXYS) 设计生产,可通过久芯网进行购买。IXFB40N110Q3价格参考¥345.920904,你可以下载 IXFB40N110Q3中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询IXFB40N110Q3规格参数、现货库存、封装信息等信息!

艾赛斯.力特 (IXYS)

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