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FCH077N65F_F085，带有引脚细节，包括管封装，设计用于0.225401盎司单位重量，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供to-247-3等封装外壳功能，技术设计用于Si，以及1通道数量的通道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供481 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为5.3 ns，上升时间为27 ns，Vgs栅极-源极电压为+/-20 V，Id连续漏极电流为54 A，Vds漏极-源极击穿电压为650V，Vgs栅极-源极阈值电压为3V，Rds导通漏极-漏极电阻为184mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为105ns，典型接通延迟时间为37ns，Qg栅极电荷为126nC，沟道模式为增强。
FCH072N60F_F085是MOSFET 600V N沟道SuperFET II MOSFET，包括3 V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在+/-20 V Vgs栅-源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于600 V，提供单位重量功能，如0.225401盎司，典型开启延迟时间设计为44 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，器件采用Si技术，器件的上升时间为31ns，漏极-源极电阻Rds为195mOhms，Qg栅极电荷为160nC，Pd功耗为481W，封装为管，封装盒为TO-247-3，沟道数为1沟道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为52 A，下降时间为22 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
FCH072N60F是MOSFET N-CH 600V 52A TO247，包括52A（Tc）电流连续漏极Id 25°C，设计用于600V漏极到源极电压Vdss，数据表中显示了标准中使用的FET特性，该标准提供FET类型特性，如MOSFET N沟道、金属氧化物、栅极电荷Qg Vgs，除了8660pF@100V输入电容Ciss Vds之外，该器件还可以用作通孔安装型，其工作温度范围为-55°C ~ 150°C（TJ），该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，最大功率为481W，Rds On Max Id Vgs为72mOhm@26A，10V，系列为FRFETR、SuperFETR II、，供应商设备包为TO-247，Vgs th Max Id为5V@250μA。
