9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFT60N60X3HV，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFT60N60X3HV参考价格为12.23000美元。IXYS IXFT60N60X3HV封装/规格：MOSFET ULTRA 600V 60A TO268HV。您可以下载IXFT60N60X3HV英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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IXFT52N30Q是MOSFET N-CH 300V 52A TO-268，包括IXFT52N20系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于HyperFET，以及TO-268-2封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为360 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为60 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为52A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Rds导通漏极-漏极电阻为60mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为80ns，典型接通延迟时间为27ns，正向跨导最小值为35S，沟道模式为增强型。
IXFT58N20是MOSFET 58安培200V 0.08W Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在200 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.158733盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为72 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFT58N20系列，上升时间为15 ns，漏极电阻Rds为40 mOhms，Pd功耗为300 W，封装为Tube，封装盒为TO-268-2，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为58A，下降时间为16ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFT52N50P2是MOSFET PolarP2功率MOSFET，包括单一配置，它们设计为以52 a Id连续漏极电流工作，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，安装类型设计为在SMD/SMT中工作，以及1通道数的通道，该装置也可用作TO-268-2包装箱。此外，封装为Tube，器件提供960 W Pd功耗，器件具有120 mOhms的Rds漏极-源极电阻，系列为IXFT52N50，技术为Si，商品名为Polar2 HiPerFET，晶体管极性为N沟道，晶体管类型为1 N沟道。单位重量为0.158733盎司，Vds漏极源极击穿电压为500 V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFT58N20Q是由IXYS制造的MOSFET N-CH 200V 58A TO-268。IXFT58N20Q可在TO-268-3、D³Pak（2引线+接线片）、TO-268AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 200V 58A TO-268、N沟道200V 58B（Tc）300W（Tc）表面安装TO-268和Trans MOSFET N-CH200V 58C 3-Pin（2+Tab）TO-268。
