9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH98N60X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH98N60X3参考价格为17.19000美元。IXYS IXFH98N60X3封装/规格：MOSFET ULTRA JCT 600V 98A TO247。您可以下载IXFH98N60X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH88N30P是MOSFET N-CH 300V 88A TO-247，包括IXFH88N40系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在0.229281盎司的数据表注释中，该产品提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及TO-247-3封装盒，该设备也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为600 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为25 ns，上升时间为24 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏极电流为88A，Vds漏极-源极击穿电压为300V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为40mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为96ns，典型接通延迟时间为25ns，Qg栅极电荷为180nC，正向跨导Min为40S，并且信道模式是增强。
IXFH88N20Q是MOSFET 88安培200V 0.03 Rds，包括30 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量如数据表注释所示，用于0.229281盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如18 ns，典型的关闭延迟时间设计为61 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFH88N20系列，上升时间为20ns，漏极源极电阻Rds为30mOhms，Pd功耗为500W，封装为管，封装盒为TO-247-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为88 A，下降时间为15 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFH8N80是MOSFET 8 Amps 800V 1.1 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于35 ns，提供Id连续漏极电流功能，如8 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-247-3封装盒，该器件具有一个封装管，Pd功耗为180 W，Rds漏极-源极电阻为1.1欧姆，上升时间为15 ns，系列为IXFH8N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为70ns，典型接通延迟时间为35ns，单位重量为0.229281oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
IXFH88N20P，带有IXYS制造的EDA/CAD模型。IXFH88N20P采用TO-247封装，是IC芯片的一部分。
