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ZXMN10A25KTC是MOSFET N-CH 100V 4.2A DPAK，包括ZXMN10A系列，它们设计用于卷盘封装，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表说明所示，提供to-252-2等封装盒功能，技术设计用于Si，以及1信道数信道，该设备也可以用作单配置。此外，晶体管类型为1 N沟道，器件提供2.11 W Pd功耗，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为9.4 ns，上升时间为3.7 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为6.4 A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Vgs栅极-源极阈值电压为4V，Rds导通漏极-漏极电阻为125mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为17.7ns，典型接通延迟时间为4.9ns，Qg栅极电荷为9.6nC，沟道模式为增强。
ZXMN10A25GTA是MOSFET N-CH 100V 2.9A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如4.9 ns，典型的关闭延迟时间设计为18 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN10A系列，该器件的上升时间为3.7ns，漏极-源极电阻Rds为125mOhms，Pd功耗为3.9W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为4 A，下降时间为9.4 ns，配置为单双漏，通道模式为增强型。
ZXMN10B08E6，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10B08E6在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
