9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A07FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A07FTA参考价格为0.48000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A07FTA封装/规格：MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3。您可以下载ZXMN10A07FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN10A07FTA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
9icnet.com上标记的生产状态仅供参考。如果你没有找到你想要的，你可以通过电子邮件获得更多有价值的信息，如ZXMN10A07FTA库存数量、优惠价格、数据表和制造商。我们很高兴收到您的来信，所以请随时与我们联系。
ZXMN0545G4TA是MOSFET N-CH 450V 140MA SOT-223，包括ZXMN0545系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装类型功能，包装箱设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为450V，输入电容Cis-Vds为70pF@25V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为140mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为50 Ohm@100mA，10V，Vgs的最大Id为3V@1mA，Pd功耗为2W，下降时间为10ns，上升时间为7ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为140mA，Vds漏极-源极击穿电压为450V，Rds漏极-源极电阻为50欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为16ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZXMN10A072TA，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN10A072TA以SOT23-6封装形式提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN10A07F，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A07F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
