9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A09KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A09KTC参考价格为1.87000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A09KTC封装/规格：MOSFET N-CH 100V 5A TO252-3。您可以下载ZXMN10A09KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN10A08E6TC是MOSFET N-CH 100V 1.5A SOT23-6，包括ZXMN10系列，它们设计用于卷筒包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6以及Si技术，该设备也可以用作1信道数量的信道。此外，该配置为单四漏极，该器件为1 N沟道晶体管类型，该器件具有1.1 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为2.2 ns，上升时间为2.2纳秒，Vgs栅源电压为20 V，并且Id连续漏极电流为1.9A，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为250m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为8ns，典型接通延迟时间为3.4ns，沟道模式为增强。
ZXMN10A08GTA是MOSFET N-CH 100V 2A SOT223，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在100 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如3.4 ns，典型的关闭延迟时间设计为8 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZXMN10系列，该器件的上升时间为2.2 ns，漏极-源极电阻Rds为250 mOhms，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为2.9 A，下降时间为3.2 ns，配置为单双漏，通道模式为增强型。
ZXMN10A09，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A09提供TO-252封装，是FET的一部分-单。
