9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMP7A17GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP7A17GTA参考价格为0.84000美元。Diodes Incorporated ZXMP7A17GTA封装/规格：MOSFET P-CH 70V 2.6A SOT223。您可以下载ZXMP7A17GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A18DN8TA是MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC，包括ZXMP6A18系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1580pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，最大Id Vgs上的Rds为55mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为44nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23ns，上升时间为5.8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为-1V，Rds漏极-源极电阻为55mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为4.6ns，Qg栅极电荷为23nC，正向跨导最小值为8.7S，沟道模式为增强。
ZXMP7A17GQTA带有用户指南，其中包括-1V Vgs第栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于-70 V，提供0.000282 oz等单位重量功能，典型开启延迟时间设计为2.5 ns，以及27.9 ns典型关闭延迟时间，该器件也可以用作1P沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为P沟道，该器件采用Si技术，该器件具有ZXMP7系列，上升时间为3.4纳秒，Rds漏极-源极电阻为250毫欧，Qg栅极电荷为18 nC，Pd功耗为16 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为-2.6 A，正向跨导最小值为4.4 S，下降时间为8 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
ZXMP6A18KTC是MOSFET P-CH 60V 6.8A DPAK，包括增强信道模式，它们设计为使用单一配置，下降时间显示在数据表注释中，用于23 ns，提供正向跨导最小特性，如8.7 S，Id连续漏极电流设计为工作在10.4 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃。此外，安装类型为SMD/SMT，器件提供1通道数的通道，器件具有TO-252-3封装盒，封装为卷轴，Pd功耗为10.1W，Qg栅极电荷为44nC，Rds漏极源极电阻为55mOhms，上升时间为5.8ns，系列为ZXMP6，技术为Si，晶体管极性为P沟道，晶体管类型为1P沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型导通延迟时间为4.6ns，单位重量为0.139332oz，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs栅源极电压为20V，Vgs栅极-源极阈值电压为-1V。
