9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN2069FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN2069FTA参考价格为0.12400美元。Diodes Incorporated ZXMN2069FTA封装/规格：MOSFET N-CH SOT23-3。您可以下载ZXMN2069FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN10B08E6TA是MOSFET N-CH 100V 1.6A SOT23-6，包括ZXMN10系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Ciss Vds为497pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为1.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为230 mOhm@1.6A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为9.2nC@10V，Pd功耗为1.1 W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.1纳秒，上升时间为2.1 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为1.9 A，Vds漏极-源极击穿电压为100 V，Rds导通-漏极电阻为230毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12.1纳秒，典型开启延迟时间为2.9ns，信道模式为增强。
ZXMN15A27KTC是MOSFET N-CH 150V 1.7A DPAK，包括2.7 V Vgs栅极-源极阈值电压，设计用于+/-25 V Vgs栅-源极电压，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于150 V，提供单位重量功能，如0.13932 oz，典型开启延迟时间设计为3.3 ns，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件采用Si技术，该器件具有ZXMN15系列，上升时间为12.7 ns，Rds漏极-源极电阻为650 mOhms，Qg栅极电荷为6.6 nC，Pd功耗为4.2 W，封装为卷轴式，封装外壳为TO-252-3，信道数为1信道，安装类型为SMD/SMT，最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为2.6 A，正向跨导最小值为2.8 S，下降时间为13.3 ns，信道模式为增强型。
ZXMN10B08E6，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10B08E6在SOT163封装中提供，是FET的一部分-单个。
