9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZXMN3A01FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3A01FTA参考价格为0.51000美元。Diodes Incorporated ZXMN3A01FTA封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.8A SOT23-3。您可以下载ZXMN3A01FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN3A01E6TA是MOSFET N-CH 30V 2.4A SOT-23-6，包括ZXMN3A系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为30V，输入电容Ciss Vds为190pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.4A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为120 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.9nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为2.3纳秒，上升时间为2.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为3 A，Vds漏极-源极击穿电压为30 V，Rds导通-漏极电阻为180毫欧，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.6纳秒，典型开启延迟时间为1.7ns，信道模式为增强。
ZXMN3A01E6，带有DIODES制造的用户指南。ZXMN3A01E6在TSOP-6封装中提供，是FET的一部分-单个。
ZXMN3A01F，电路图由GP/ZETEX制造。ZXMN3A01F在SOT23封装中提供，是FET的一部分-单个。
