9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP7A17KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP7A17KTC参考价格为1.00000美元。Diodes Incorporated ZXMP7A17KTC封装/规格：MOSFET P-CH 70V 3.8A TO252-3。您可以下载ZXMP7A17KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP7A17GTA是MOSFET P-CH 70V 3.7A SOT-223，包括ZXMP7A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET P通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 P通道，漏极至源极电压Vdss为70V，输入电容Cis-Vds为635pF@40V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.6A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为160 mOhm@2.1A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为18nC@10V，Pd功耗为3.9 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为8 ns，上升时间为3.4ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为-70V，Rds导通漏极-漏极电阻为160mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为27.9ns，典型导通延迟时间为2.5ns，沟道模式为增强。
ZXMP7A17KQTC带有用户指南，其中包括Si技术，它们设计用于ZXMP7A系列，包装如数据表说明所示，用于卷筒。
ZXMP7A17K，带有ZETEX制造的电路图。ZXMP7A17K提供TO-252封装，是FET的一部分-单体。
