零件标记详图–ZVN0545
特色
*450伏VDS
*RDS（开启）=50Ω
*易于并联
ZVN0545GTA
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 450伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 140毫安（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 6.88075 | 6.88075 |
| 10+ | 6.07679 | 60.76793 |
| 100+ | 4.65646 | 465.64600 |
| 500+ | 3.68084 | 1840.42100 |
| 1000+ | 2.94467 | 2944.67300 |
| 2000+ | 2.66864 | 5337.29400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥6.88076
-
数量:
- +
- 总计: ¥6.88
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规格参数
- 长（英寸） -
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 10伏
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
- 漏源电流 (Id) @ 温度 140毫安（Ta）
- 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
- 供应商设备包装 SOT-223-3
- 包装/外壳 至261-4，至261AA
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
- 最大功耗 2W（Ta）
- 漏源电压标 (Vdss) 450伏
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 70 pF @ 25 V
- 导通电阻 Rds(ON) 50欧姆 @ 100毫安, 10V
- 色彩/颜色 -
ZVN0545GTA 产品详情
ZVN0545GTA 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | ZVN4206NTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: SM8 | ¥9.12605 |
 | ZVN4206NTC | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: 2个N通道（双通道） 场效应管特性: 标准 漏源电压标 (Vdss): 60V 供应商设备包装: SM8 | ¥530.33962 |
 | ZVN4106FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta） 最大功耗: 350mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.87301 |
 | ZVN4206GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.46019 |
 | ZVN4206GVTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 2W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥7.53262 |
 | ZVN4206A | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 600毫安 (Ta) 最大功耗: 700mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥5.93918 |
 | ZVN3306A | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 270毫安（Ta） 最大功耗: 625mW (Ta) 供应商设备包装: TO-92 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.08404 |
 | ZVN3306FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 150毫安（Ta） 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.7127 |
 | ZVN3320FTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 200伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 60毫安 (Ta) 最大功耗: 330mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.47659 |
 | ZVN4424GTA | 达尔科技 (Diodes rporated) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 240伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 2.5W（Ta） 供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥6.30132 |
ZVN0545GTA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZVN0545GTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZVN0545GTA价格参考￥6.880755，你可以下载 ZVN0545GTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZVN0545GTA规格参数、现货库存、封装信息等信息！
达尔科技 (Diodes rporated)
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