9icnet为您提供由Diodes Incorporated设计和生产的ZVN2110A，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN2110A参考价格为0.78000美元。Diodes Incorporated ZVN2110A封装/规格：MOSFET N-CH 100V 320MA TO92-3。您可以下载ZVN2110A英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN2106GTA是MOSFET N-CH 60V 710MA SOT223，包括ZVN2106系列，它们设计用于Digi-ReelR替代封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，封装盒设计用于to-261-4、to-261AA以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-223，配置为单双漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为2W，晶体管类型为1 N通道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为75pF@18V，FET特性为标准，25°C的电流连续漏极Id为710mA（Ta），最大Id Vgs的Rds为2 Ohm@1A，10V，Vgs最大Id为2.4V@1mA，Pd功耗为2 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为15 ns，上升时间为8 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为710mA，Vds漏极-源极击穿电压为60V，Rds导通漏极-漏极电阻为2欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为12ns，典型接通延迟时间为7ns，沟道模式为增强。
ZVN2106GTC是由DIODES制造的MOSFET N-CH 60V 0.71A SOT223。ZVN2106GTC在TO-261-4、TO-261AA封装中提供，是FET的一部分-单个，并支持MOSFET N-CH 60V 0.71A SOT223。
ZVN2110，带有ZETX制造的电路图。ZVN2110采用TO-92封装，是FET的一部分-单个。
