9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP6A18KTC，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A18KTC参考价格为1.22000美元。Diodes Incorporated ZXMP6A18KTC封装/规格：MOSFET P-CH 60V 6.8A TO252-3。您可以下载ZXMP6A18KTC英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A18DN8TA是MOSFET 2P-CH 60V 3.7A 8-SOIC，包括ZXMP6A18系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.002610盎司，提供SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2通道数量的通道，器件具有8-SO供应商器件封装，配置为双通道，FET类型为2 P通道（双通道），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 P沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1580pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.7A，最大Id Vgs上的Rds为55mOhm@3.5A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为44nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为23ns，上升时间为5.8ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为-4.8A，Vds漏极-源极击穿电压为-60V，Vgs第栅极-源极端阈值电压为-1V，Rds漏极-源极电阻为55mOhm，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型接通延迟时间为4.6ns，Qg栅极电荷为23nC，正向跨导最小值为8.7S，沟道模式为增强。
ZXMP6A17N8TC是MOSFET P-CH 60V 2.7A 8SO，包括1V@250μA Vgs th Max Id，它们设计为与8-SO供应商设备包一起工作，最大Id Vgs上的Rds如数据表注释所示，用于125 mOhm@2.3A，10V，提供功率最大功能，如1.56W，以及8-SOIC（0.154英寸，3.90mm宽）封装外壳，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）此外，安装类型为表面安装，该器件以637pF@30V输入电容Ciss Vds提供，该器件具有17.7nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为MOSFET P沟道，金属氧化物，FET特性为标准，漏极到源极电压Vdss为60V，25°C电流连续漏极Id为2.7A（Ta）。
ZXMP6A18DN8，带有ZETEX制造的电路图。ZXMP6A18DN8在SOP8封装中提供，是FET阵列的一部分。
