9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A25GTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A25GTA参考价格为1.14000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A25GTA封装/规格：MOSFET N-CH 60V 4.8A SOT223。您可以下载ZXMN6A25GTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMN6A25DN8TA是MOSFET 2N-CH 60V 3.8A 8-SOIC，包括ZXMN6A2系列，它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作。数据表说明中显示了用于0.002610盎司的单位重量，该产品提供了SMD/SMT等安装样式功能，封装外壳设计用于8-SOIC（0.154“，3.90mm宽）以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供2信道数量的信道，器件具有供应商器件封装的8-SO，配置为双双漏极，FET类型为2 N信道（双），功率最大值为1.8W，晶体管类型为2 N沟道，漏极至源极电压Vdss为60V，输入电容Cis-Vds为1063pF@30V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为3.8A，最大Id Vgs上的Rds为50 mOhm@3.6A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA（最小），栅极电荷Qg-Vgs为20.4nC@10V，Pd功耗为2.1W，最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围-55℃，下降时间为10.6ns，上升时间为4ns，Vgs栅源电压为20V，Id连续漏电流为5A，Vds漏源击穿电压为60V，Rds漏源电阻为50mOhms，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为26.2ns，典型接通延迟时间为3.8ns，沟道模式为增强。
ZXMN6A25DN8，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN6A25DN8在SOP-8包中提供，是FET阵列的一部分。
ZXMN6A25DN8TC，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A25DN8TC采用SOIC-8封装，是IC芯片的一部分。
