ZXMP10A17GQTA

Name: ZXMP10A17GQTA
Brand: 达尔科技 (Diodes rporated)
SKU: 7135124-ZXMP10A17GQTA
Price: 8.256906 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 2.4A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
交期:5-7 工作日

渠道:

自营
得捷
贸泽

展开

起订量: 1

数量	单价	合计
1+	8.25690	8.25690
10+	7.40224	74.02244
100+	5.77259	577.25910
500+	4.76843	2384.21800
1000+	3.76449	3764.49700
2000+	3.51353	7027.06200

库存: 0
单价: ¥8.25691
数量:
- +
总计: ¥8.26

在线询价

温馨提示: 请填写以下信息，以便客户代表及时与您沟通联系。

规格参数

部件状态可供货
技术 MOSFET（金属氧化物）
漏源电压标 (Vdss) 100伏
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 6V, 10V
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
场效应管特性 -
工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
安装类别表面安装
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 10.7 nC@10 V
场效应管类型 P-通道
制造厂商达尔科技 (Diodes rporated)
供应商设备包装 SOT-223-3
包装/外壳至261-4，至261AA
最大功耗 2W（Ta）
漏源电流 (Id) @ 温度 2.4A（Ta）
导通电阻 Rds(ON) 350毫欧姆 @ 1.4A, 10V
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 424 pF @ 50 V
色彩/颜色 -

ZXMP10A17GQTA 相关器件

型号	制造商	描述	价格
ZXMN3A04KTC	达尔科技 (Diodes rporated)	MOSFET N-CH 30V 18.4A DPAK	¥15.06523
ZXMP10A17GTA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: P-通道漏源电压标 (Vdss): 100伏漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3	¥2.05409
ZXMN6A10N8TA	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 供应商设备包装: 8-SO	¥17.86099
ZXMN6A11GTC	达尔科技 (Diodes rporated)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.1A（Ta）最大功耗: 2W（Ta）供应商设备包装: SOT-223-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥11.08164
ZXMS6004FFTA	达尔科技 (Diodes rporated)	开关种类: 一般用途输出类别: n通道输入比率 / 输出比率: 1:1 输出配置: 低端负载电压: 60V (Max) 供应商设备包装: SOT-23F	¥4.55059
ZXMN6A25GTA(UMW)	广东友台半导体 (UMW)	暂无	¥1.48057
ZXMS6004SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS6005SGQTA		LOW SIDE INTELLIFET SOT223 T&R 1	¥0.00
ZXMS81200SPQ-13		HIGH SIDE INTELLIFET SO-8EP T&R	¥0.00
ZXMS6008FFQ-7		LOW SIDE INTELLIFET SOT23F T&R 3	¥0.00

ZXMP10A17GQTA所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，ZXMP10A17GQTA 由达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产，可通过久芯网进行购买。ZXMP10A17GQTA价格参考￥8.256906，你可以下载 ZXMP10A17GQTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询ZXMP10A17GQTA规格参数、现货库存、封装信息等信息！