9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN10A07ZTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN10A07ZTA参考价格为0.66000美元。Diodes Incorporated ZXMN10A07ZTA封装/规格：MOSFET N-CH 100V 1A SOT89-3。您可以下载ZXMN10A07ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您没有找到您想要的，您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系，例如ZXMN10A07ZTA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系，并为您提供优质服务。
ZXMN10A07FTA是MOSFET N-CH 100V 700MA SOT23-3，包括ZXMN10A007系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装箱设计用于to-236-3、SC-59、SOT-23-3以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件以1通道数量的通道提供，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-3，配置为单一，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为625mW，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为100V，输入电容Cis-Vds为138pF@50V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为700mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为700mOhm@1.5A，10V，Vgs最大Id为4V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为2.9nC@10V，Pd功耗为625mW，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为1.5 ns，上升时间为1.5ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为800mA，Vds漏极-源极击穿电压为100V，Rds导通漏极-漏极电阻为900m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为4.1ns，典型导通延迟时间为1.8ns，沟道模式为增强。
ZXMN10A072TA，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN10A072TA以SOT23-6封装形式提供，是IC芯片的一部分。
ZXMN10A07F，带有ZETEX制造的电路图。ZXMN10A07F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
