9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFA4N100Q，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFA4N100Q参考价格$9.00000。IXYS IXFA4N100Q封装/规格：MOSFET N-CH 1000V 4A TO263。您可以下载IXFA4N100Q英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFA4N100P是MOSFET 4安培1000V，包括IXFA4N600系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-252-3封装盒，该器件也可以用作硅技术。此外，信道数为1信道，该器件为1 N信道晶体管类型，该器件具有150 W的Pd功耗，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，下降时间为50 ns，上升时间为36 ns，Vgs栅源电压为20 V，Id连续漏电流为4 a，Vds漏极-源极击穿电压为1000V，第Vgs栅极-源极阈值电压为6V，Rds导通漏极-漏极电阻为3.3欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为37ns，典型接通延迟时间为24ns，Qg栅极电荷为26nC，正向跨导最小值为1.8S，沟道模式为增强。
IXFA3N120是MOSFET 3安培1200V 4.5 Rds，包括20 V Vgs栅极-源极电压，它们设计用于1200 V Vds漏极-源极击穿电压，单位重量显示在数据表注释中，用于0.056438盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如17 ns，典型的关闭延迟时间设计为32 ns，以及1 N沟道晶体管类型，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为HyperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFA3N120系列，上升时间为15ns，漏极电阻Rds为4.5欧姆，Pd功耗为200W，封装为Tube，封装盒为TO-252-3，通道数为1通道，安装样式为SMD/SMT，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+150℃，Id连续漏电流为3 A，下降时间为18 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFA3N80是MOSFET 3.6 Amps 800V 3.6 Rds，包括增强通道模式，它们设计为以单配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于14 ns，提供Id连续漏极电流功能，如3.6 a，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，该器件也可以用作SMD/SMT安装样式。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-252-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为100W，漏极电阻Rds为3.6欧姆，上升时间为11ns，系列为IXFA3N80，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为25ns，典型接通延迟时间为12ns，单位重量为0.056438oz，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极电压为20V。
