9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFP80N25X3，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFP80N25X3参考价格为9.40000美元。IXYS IXFP80N25X3封装/规格：MOSFET N-CH 250V 80A TO220AB。您可以下载IXFP80N25X3英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFP7N80P是MOSFET 7安培800V 1.44 Rds，包括IXFP7N60系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.081130盎司，提供安装方式功能，如通孔，商品名设计用于Polar HiperFET，以及to-220-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为200 W，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为24 ns，上升时间为32 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为7A，Vds漏极-源极击穿电压为800V，Vgs栅极-源极阈值电压为5V，Rds导通漏极-漏极电阻为1.44欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为55ns，典型导通延迟时间为28ns，Qg栅极电荷为32nC，正向跨导最小值为5S，并且信道模式是增强。
IXFP76N15T2是MOSFET TRENCHT2 HIPERFET PWR MOSFET 150V 76A，包括4.5 V Vgs的栅极-源极阈值电压，它们设计为在20 V Vgs栅极-源电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压显示在数据表注释中，用于150 V，提供单位重量功能，如0.012346 oz，典型开启延迟时间设计为17 ns，该器件还可以用作N沟道晶体管极性。此外，商品名为TrenchT2 HiperFET，该器件采用Si技术，该器件具有IXFP76N15系列，上升时间为19ns，漏极源极电阻Rds为20mOhms，Qg栅极电荷为97nC，Pd功耗为350W，封装为管，封装外壳为TO-220-3，安装方式为通孔，其最小工作温度范围为-55℃，最大工作温度范围+175℃，Id连续漏电流为76 A，正向跨导最小值为50 S，下降时间为14 ns，信道模式为增强。
IXFP6N120P是MOSFET POLAR HIPERFET WITH REDUCED RDS 1200V 6A，包括增强信道模式，它们设计为在14 ns的下降时间下工作，数据表注释中显示了用于3 S的正向跨导最小值，提供Id连续漏极电流功能，如6 a，其最大工作温度范围为+150 C，它的最低工作温度范围为-55℃，该设备也可以用作通孔安装型。此外，封装外壳为TO-220-3，器件采用管封装，器件具有250W的Pd功耗，Qg栅极电荷为92nC，Rds漏极-源极电阻为2.75欧姆，上升时间为11ns，系列为IXFP6N120，技术为Si，商品名为Polar HiPerFET，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为60ns，典型接通延迟时间为24ns，单位重量为0.012346oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅源极电压为30V，Vgsth栅源极阈值电压为5V。
IXFP7N100P是MOSFET 7 Amps 1000V，包括管封装，它们设计用于to-220-3封装盒，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计用于Si，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFP7N200系列。此外，商品名为HyperFET，该器件提供7 A Id连续漏极电流，该器件具有300 W的Pd功耗，Vgs栅极-源极电压为30 V，Vds漏极-源极击穿电压为1000 V，Rds漏极源极电阻为1.9欧姆，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.081130盎司，它的最大工作温度范围为+150℃，最小工作温度范围是-55℃。
