9icnet为您提供由IXYS设计和生产的IXFH12N100F,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。IXFH12N100F参考价格为11.76000美元。IXYS IXFH12N100F封装/规格:MOSFET N-CH 1000V 12A TO247AD。您可以下载IXFH12N100F英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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IXFH120N20P是MOSFET 120 Amps 200V 0.022 Rds,包括IXFH120N2 0P系列,它们设计用于管式封装,单位重量如数据表注释所示,用于0.229281盎司,提供通孔等安装方式功能,商品名设计用于PolarHT HiPerFET,以及to-247-3封装盒,该器件也可用作Si技术。此外,信道数为1信道,该器件以单配置提供,该器件具有1个晶体管型N信道,Pd功耗为714W,最大工作温度范围为+175 C,最小工作温度范围-55 C,下降时间为31 ns,上升时间为35 ns,Vgs栅源电压为20 V,Id连续漏极电流为120A,Vds漏极-源极击穿电压为200V,Vgs栅极-源极阈值电压为5V,Rds导通漏极-漏极电阻为22mOhm,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为100ns,典型接通延迟时间为30ns,Qg栅极电荷为152nC,正向跨导Min为40S,并且信道模式是增强。
IXFH120N25T是MOSFET沟槽型HiperFET功率MOSFET,包括5V Vgs栅极-源极阈值电压,它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作,Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示,用于250V,提供单位重量功能,如0.056438oz,典型开启延迟时间设计为32ns,该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外,晶体管极性为N沟道,该器件以HiPerFET商品名提供,该器件具有Si of Technology,系列为IXFH120N25T,上升时间为16ns,漏极源极电阻Rds为23mOhms,Qg栅极电荷为180nC,Pd功耗为890W,封装为Tube,封装盒为TO-247-3,沟道数为1沟道,安装类型为通孔,最小工作温度范围为-55℃,最大工作温度范围+150℃,Id连续漏电流为120 A,下降时间为19 ns,配置为单通道,通道模式为增强型。
IXFH12N100是MOSFET N-CH 1KV 12A TO-247AD,包括增强信道模式,它们设计为以单一配置运行,下降时间显示在数据表注释中,用于32 ns,提供正向跨导最小特性,如10 S,Id连续漏电流设计为在12 a下工作,其最大工作温度范围为+150 C,它的最低工作温度范围为-55℃。此外,安装类型为通孔,该器件提供1个通道数量的通道,该器件具有TO-247-3封装盒,封装为管,Pd功耗为300 W,漏极电阻Rds为1.05欧姆,上升时间为33 ns,系列为IXFH12N100,技术为Si,商品名为HyperFET,晶体管极性为N沟道,晶体管类型为1N沟道,典型关断延迟时间为62ns,典型接通延迟时间为21ns,单位重量为0.229281oz,Vds漏极-源极击穿电压为1000V,Vgs栅极-源极电压为20V。