特色
- 用于低栅极电荷/快速开关的领先平面技术
- 2.5 V额定电压，适用于低压栅极驱动
- SOT-23表面安装，适用于小型占地面积（3 mm x 3 mm）
- AEC−Q101合格和PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- 便携式负载/电源开关
- 用于计算的负载/电源开关
- 直流到直流转换
（图片：引出线）
NVR4501NT1G
- 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Tj） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:2-3 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 1.30010 | 1.30010 |
| 100+ | 1.21535 | 121.53590 |
| 1000+ | 1.12482 | 1124.82200 |
- 库存: 2681
- 单价: ¥1.30010
-
数量:
- +
- 总计: ¥1.30
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规格参数
- 长（英寸） -
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 场效应管类型 n通道
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 2.5伏、4.5伏
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±12V
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1.2V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 3.2A（Ta）
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 6 nC @ 4.5 V
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 200 pF@10 V
- 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 3.6A, 4.5V
- 最大功耗 1.25W（Tj）
NVR4501NT1G 产品详情
汽车功率MOSFET。20V 3.2A 80 mOhm单N通道SOT-23，逻辑电平。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVR4501NT1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVR-02 | 日本科学技术协会 (JST) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: two 排数: one 间距: 0.197英寸（5.00毫米） 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥0.28899 |
| NVR-04 | 日本科学技术协会 (JST) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: four 排数: one 间距: 0.197英寸（5.00毫米） 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥0.72936 |
 | NVR5198NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.96113 |
 | NVR5124PLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A（Ta） 最大功耗: 470mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.14221 |
| NVR4501NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Tj） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.3001 |
 | NVR4003NT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.62144 |
 | NVR1P02T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NVR-03 | 日本科学技术协会 (JST) | 间距：5mm 插孔结构：1x3P 每排针位数：3 排数：1 带锁扣：否 工作温度范围：-25℃~+85℃ | ¥0.39184 |
| NVR-02-E | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.39474 | |
| NVR4501N | ¥0.7098 |
NVR4501NT1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVR4501NT1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVR4501NT1G价格参考￥1.300101，你可以下载 NVR4501NT1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVR4501NT1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
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