特色
- 超低导通电阻提供更高的效率并延长电池寿命 - RDS（开启）=180 mΩ@VGS=-10 V - RDS（开启）=280 mΩ@VGS=-4.5 V
- 便携式和电池供电产品中的电源管理
- 小型SOT−23表面安装封装节省了电路板空间
- 提供SOT−23组件的安装信息
- AEC-Q101合格，PPAP能力
- 符合RoHS
应用
- DC−DC转换器
- 计算机
- 打印机
- PCMCIA卡
- 蜂窝和无绳电话
（图片：引出线）
NVR1P02T1G
- 描述:场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 品牌: 安盛美 (onsemi)
- 交期:5-7 工作日
渠道:
- 自营
- 得捷
- 贸泽
起订量: 1
| 数量 | 单价 | 合计 |
|---|---|---|
| 1+ | 3.18687 | 3.18687 |
| 10+ | 2.70160 | 27.01602 |
| 100+ | 2.01859 | 201.85960 |
| 500+ | 1.58619 | 793.09750 |
| 1000+ | 1.22578 | 1225.78800 |
| 3000+ | 1.14705 | 3441.17400 |
- 库存: 0
- 单价: ¥3.18688
-
数量:
- +
- 总计: ¥3.19
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规格参数
- 制造厂商 安盛美 (onsemi)
- 部件状态 可供货
- 技术 MOSFET（金属氧化物）
- 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
- 场效应管特性 -
- 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度（TJ）
- 安装类别 表面安装
- 驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） 4.5V, 10V
- 场效应管类型 P-通道
- 漏源电压标 (Vdss) 20伏
- 包装/外壳 至236-3，SC-59，SOT-23-3
- 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 2.3V@250A.
- 漏源电流 (Id) @ 温度 1A（Ta）
- 供应商设备包装 SOT-23-3 (TO-236)
- 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 2.5 nC@5 V
- 最大功耗 400mW (Ta)
- 导通电阻 Rds(ON) 180毫欧姆@1.5A，10V
- 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 165 pF@5V
- 色彩/颜色 红色
NVR1P02T1G 产品详情
汽车功率MOSFET-20V，-1A，180 mOhm，单P通道，SOT-23。AEC-Q101合格的MOSFET和PPAP，适用于汽车应用。
NVR1P02T1G 相关器件
器件图 | 型号 | 制造商 | 描述 | 价格 |
|---|---|---|---|---|
 | NVR-02 | 日本科学技术协会 (JST) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: two 排数: one 间距: 0.197英寸（5.00毫米） 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥0.28899 |
| NVR-04 | 日本科学技术协会 (JST) | 连接端子种类: 插座 接触头种类: Female Socket 针位数: four 排数: one 间距: 0.197英寸（5.00毫米） 安装类别: 自由悬挂（直线） | ¥0.72936 |
 | NVR5198NLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.7A（Ta） 最大功耗: 900mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.96113 |
 | NVR5124PLT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 1.1A（Ta） 最大功耗: 470mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.14221 |
 | NVR4501NT1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 3.2A（Ta） 最大功耗: 1.25W（Tj） 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥1.3001 |
 | NVR4003NT3G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 30伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 500毫安 (Ta) 最大功耗: 690mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥0.62144 |
| NVR1P02T1G | 安盛美 (onsemi) | 场效应管类型: P-通道 漏源电压标 (Vdss): 20伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 1A（Ta） 最大功耗: 400mW (Ta) 供应商设备包装: SOT-23-3 (TO-236) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ） | ¥3.18688 |
| NVR-03 | 日本科学技术协会 (JST) | 间距：5mm 插孔结构：1x3P 每排针位数：3 排数：1 带锁扣：否 工作温度范围：-25℃~+85℃ | ¥0.39184 |
| NVR-02-E | 日本科学技术协会 (JST) | ¥0.39474 | |
| NVR4501N | ¥0.7098 |
NVR1P02T1G所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，NVR1P02T1G 由 安盛美 (onsemi) 设计生产，可通过久芯网进行购买。NVR1P02T1G价格参考￥3.186876，你可以下载 NVR1P02T1G中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询NVR1P02T1G规格参数、现货库存、封装信息等信息！
安盛美 (onsemi)
onsemi正在推动节能创新，使客户能够减少全球能源使用。该公司提供全面的节能电源和信号管理、逻辑、离散和定制解决方案组合，以帮助设计工程师解决其在汽车、通信、计算、消费、工业、LED照明、医疗、军事/...
