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FDWS86068-F085

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 100伏 漏源电流 (Id) @ 温度: 80A (Tc) 最大功耗: 214W(Ta) 供应商设备包装: 8-DFN (5.1x6.3) 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 安盛美 (onsemi)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 26.87115 26.87115
10+ 24.11161 241.11614
100+ 19.75573 1975.57340
500+ 16.81757 8408.78950
1000+ 16.11762 16117.62500
3000+ 16.11762 48352.87500
  • 库存: 0
  • 单价: ¥22.23570
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥26.87
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 制造厂商 安盛美 (onsemi)
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 漏源电压标 (Vdss) 100伏
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 4V @ 250A
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 10伏
  • 包装/外壳 8-PowerTDFN
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 80A (Tc)
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 43 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 6.4毫欧姆 @ 80A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 2220 pF@50 V
  • 最大功耗 214W(Ta)
  • 供应商设备包装 8-DFN (5.1x6.3)
  • 色彩/颜色

FDWS86068-F085 产品详情

FDWS86068-F085所属分类:分立场效应晶体管 (FET),FDWS86068-F085 由 安盛美 (onsemi) 设计生产,可通过久芯网进行购买。FDWS86068-F085价格参考¥22.235703,你可以下载 FDWS86068-F085中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询FDWS86068-F085规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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