2N7000

Name: 2N7000
Brand: NTE电子 (NTE)
SKU: 7136639-2N7000
Price: 2.897160 CNY
Availability: InStock
Rating: 5 (1 reviews)

描述:场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 200毫安（Ta）供应商设备包装: TO-92
品牌: NTE电子 (NTE)
交期:5-7 工作日

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规格参数

长（英寸） -
部件状态可供货
场效应管类型 n通道
技术 MOSFET（金属氧化物）
场效应管特性 -
漏源电压标 (Vdss) 60 V
安装类别通孔
驱动器电压（最大Rds，最小Rds打开） -
总栅极电荷 (Qg) @ Vgs -
最大输入电容 (Ciss) @ Vds 60 pF @ 25 V
漏源电流 (Id) @ 温度 200毫安（Ta）
开启电压 (Vgs(th) @ ld) 3V @ 1毫安
最大栅源极电压 (Vgs) -
最大功耗 -
工作温度 -
供应商设备包装 TO-92
包装/外壳 TO-226-3、TO-92-3（TO-226AA）成型引线
导通电阻 Rds(ON) 5欧姆 @ 500毫安, 10V
制造厂商 NTE电子 (NTE)
色彩/颜色 -

2N7000 产品详情

这些N沟道小信号MOSFET使用ON Semiconductor专有的高单元密度DMOS技术生产。这些产品的设计旨在最大限度地减少导通电阻，同时提供坚固、可靠和快速的开关性能。它们可用于要求高达400 mA DC的大多数应用，并可提供高达2 A的脉冲电流。这些产品特别适用于低电压、低电流应用。

特色

电压控制小信号开关
高饱和电流能力
坚固可靠
低RDS的高密度电池设计（ON）

应用

小型伺服电机控制
功率MOSFET栅极驱动器
各种开关应用

（图片：引出线）

2N7000 相关器件

型号	制造商	描述	价格
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2N7002KQBZ	安世半导体 (Nexperia)	场效应管类型: n通道漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 720毫安 (Ta) 最大功耗: 420mW (Ta), 4.2W (Tc) 供应商设备包装: dfn110d-3 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度（TJ）	¥2.89716
2N7002K 72K	江苏长电/长晶 (CJ)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：5Ω@10V,500mA	¥0.18708
2N7002（丝印12W）	时科 (SHIKUES)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：430mA 功率(Pd)：830mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：3Ω@10V,400mA	¥0.09601
2N7002-HXY	华轩阳电子 (HXY MOSFET)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：300mA 功率(Pd)：350mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：2Ω@10V,0.5A	¥0.1106
2N7002KD	富芯森美 (FUXINSEMI)	类型：2个N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：340mA 功率(Pd)：150mW 导通电阻(RDS(on)@Vgs,Id)：900mΩ@10V,500mA	¥0.21651
2N7002T-MS	美森科 (MSKSEMI)	类型：N沟道漏源电压(Vdss)：60V 连续漏极电流(Id)：115mA 功率(Pd)：150mW	¥0.16258

2N7000所属分类：分立场效应晶体管 (FET)，2N7000 由 NTE电子 (NTE) 设计生产，可通过久芯网进行购买。2N7000价格参考￥2.897160，你可以下载 2N7000中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书，可查询2N7000规格参数、现货库存、封装信息等信息！