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IXFK20N120P是MOSFET 20安培1200V 1 Rds，包括IXFK20N220系列，它们设计用于管式封装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.352740盎司，提供通孔等安装方式功能，商品名设计用于Polar HiPerFET，以及to-264-3封装盒，该器件也可以用作Si技术。此外，信道数为1信道，该器件为单配置，该器件具有1个晶体管型N信道，Pd功耗为780 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为70 ns，上升时间为45 ns，Vgs栅源电压为30 V，Id连续漏极电流为20A，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极阈值电压为6.5V，Rds导通漏极-漏极电阻为570mOhm，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为72ns，典型接通延迟时间为49ns，Qg栅极电荷为193nC，正向跨导最小值为10S，并且信道模式是增强。
IXFK200N10P是MOSFET N-CH 100V 200A TO-264，包括5V Vgs栅极-源极阈值电压，它们设计为在20V Vgs栅极源极电压下工作，Vds漏极-源极击穿电压如数据表注释所示，用于100V，提供单位重量功能，如0.352740盎司，典型开启延迟时间设计为30纳秒，该器件还可以用作1 N沟道晶体管类型。此外，晶体管极性为N沟道，该器件以Polar HiPerFET商品名提供，该器件具有Si of Technology，系列为IXFK200N10，上升时间为35ns，漏极源极电阻Rds为7.5mOhm，Qg栅极电荷为235nC，Pd功耗为830W，封装为Tube，封装外壳为TO-264-3，通道数为1通道，安装方式为通孔，最小工作温度范围为-55 C，最大工作温度范围+175 C，Id连续漏电流为200 A，正向跨导最小值为60 S，下降时间为90 ns，配置为单通道，通道模式为增强型。
IXFK20N120是MOSFET 20 Amps 1200 V 0.75 Ohms Rds，包括增强通道模式，它们被设计为以单一配置运行，下降时间显示在数据表注释中，用于20 ns，提供Id连续漏电流功能，例如20 a，其最大工作温度范围为+150 C，其最小工作温度范围是-55 C，该装置也可以用作通孔安装型。此外，信道数为1信道，该器件采用TO-264-3封装盒，该器件有一个封装管，Pd功耗为780 W，漏极电阻Rds为750 mOhms，上升时间为45 ns，系列为IXFK20N120，技术为Si，商品名为HyperFET，晶体管极性为N信道，晶体管类型为1N沟道，典型关断延迟时间为75ns，典型接通延迟时间为25ns，单位重量为0.352740oz，Vds漏极-源极击穿电压为1200V，Vgs栅极-源极电压为30V。
IXFK20N80Q是MOSFET N-CH 800V 20A TO-264AA，包括管封装，它们设计为与TO-264-3封装盒一起工作，安装方式如数据表注释所示，用于通孔，提供单孔等配置功能，技术设计为在Si中工作，以及N沟道晶体管极性，该器件也可以用作IXFK20N60系列。此外，商品名为HyperFET，该器件以增强通道模式提供，该器件具有800V的Vds漏极-源极击穿电压，典型关断延迟时间为74ns，Rds导通漏极-漏极电阻为420mOhms，Pd功耗为360W，典型接通延迟时间为28ns，上升时间为27ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为20 A，下降时间为14 ns，晶体管类型为1 N沟道，沟道数为1沟道，单位重量为0.352740 oz，其最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围是-55 C。
