9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMP6A17GQTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMP6A17GQTA参考价格为0.89000美元。Diodes Incorporated ZXMP6A17GQTA封装/规格：MOSFET P-CH 60V 3A SOT223。您可以下载ZXMP6A17GQTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
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ZXMP6A17E6TA是MOSFET P-CH 60V 3A SOT-23-6，包括ZXMP6A系列，它们设计用于使用Digi-ReelR替代包装包装，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-6，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，器件提供1通道数量的通道，器件具有供应商器件封装的SOT-26，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET P通道、金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 P通道，漏极到源极电压Vdss为60V，输入电容Ciss Vds为637pF@30V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为2.3A（Ta），最大Id Vgs上的Rds为125 mOhm@2.3A，10V，Vgs最大Id为1V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为17.7nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为3.4纳秒，上升时间为3.4 ns，Vgs栅极-源极电压为20 V，Id连续漏极电流为-3 A，Vds漏极-源极击穿电压为-60 V，Rds漏极源极电阻为190毫欧，晶体管极性为P沟道，典型关断延迟时间为26.2纳秒，典型开启延迟时间为2.6ns，信道模式为增强。
ZXMP6A17G，带有ZETEX制造的用户指南。ZXMP6A17G采用SOT-223封装，是FET的一部分-单个。
ZXMP6A17G-7-88，电路图由DIODES制造。ZXMP6A17G-7-88采用SOT223封装，是IC芯片的一部分。
