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ZXMN6A08E6QTA

  • 描述:场效应管类型: n通道 漏源电压标 (Vdss): 60 V 漏源电流 (Id) @ 温度: 2.8A(Ta) 最大功耗: 1.1W(Ta) 供应商设备包装: SOT-26 工作温度: -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 品牌: 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 交期:5-7 工作日
渠道:
  • 自营
  • 得捷
  • 贸泽

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起订量: 1

数量 单价 合计
1+ 7.24290 7.24290
10+ 6.35202 63.52023
100+ 4.86795 486.79530
500+ 3.84815 1924.07650
1000+ 3.07852 3078.52200
3000+ 2.78989 8369.67900
6000+ 2.62374 15742.44600
  • 库存: 0
  • 单价: ¥7.24290
  • 数量:
    - +
  • 总计: ¥7.24
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规格参数

  • 长(英寸) -
  • 部件状态 可供货
  • 场效应管类型 n通道
  • 技术 MOSFET(金属氧化物)
  • 最大栅源极电压 (Vgs) ±20V
  • 场效应管特性 -
  • 工作温度 -55摄氏度~150摄氏度(TJ)
  • 安装类别 表面安装
  • 漏源电压标 (Vdss) 60 V
  • 驱动器电压(最大Rds,最小Rds打开) 4.5V, 10V
  • 开启电压 (Vgs(th) @ ld) 1V@250A.
  • 制造厂商 达尔科技 (Diodes rporated)
  • 最大功耗 1.1W(Ta)
  • 包装/外壳 SOT-23-6
  • 漏源电流 (Id) @ 温度 2.8A(Ta)
  • 供应商设备包装 SOT-26
  • 总栅极电荷 (Qg) @ Vgs 5.8 nC @ 10 V
  • 导通电阻 Rds(ON) 80毫欧姆 @ 4.8A, 10V
  • 最大输入电容 (Ciss) @ Vds 459 pF @ 40 V
  • 色彩/颜色 -

ZXMN6A08E6QTA 产品详情

ZXMN6A08E6QTA所属分类:分立场效应晶体管 (FET),ZXMN6A08E6QTA 由 达尔科技 (Diodes rporated) 设计生产,可通过久芯网进行购买。ZXMN6A08E6QTA价格参考¥7.242900,你可以下载 ZXMN6A08E6QTA中文资料、PDF数据手册、Datasheet数据手册功能说明书,可查询ZXMN6A08E6QTA规格参数、现货库存、封装信息等信息!

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