9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN6A08E6QTA,该产品在9icnet现场销售,可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN6A08E6QTA参考价格为1.00000美元。Diodes Incorporated ZXMN6A08E6QTA封装/规格:MOSFET N-CH 60V 2.8A SOT26。您可以下载ZXMN6A08E6QTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册,该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能的应用电路图、电压、使用方法和教程。
9icnet上标注的价格和库存仅供参考。如果您找不到您想要的,您可以通过电子邮件或在线信息与我们联系,例如ZXMN6A08E6QTA价格、库存数量、数据表和制造商。我们期待您的联系,并为您提供优质服务。
ZXMN6A07ZTA是MOSFET N-CH 60V 1.9A SOT-89,包括ZXMN6A07系列,它们设计为与Digi-ReelR替代包装一起工作,单位重量显示在数据表注释中,用于0.004603盎司,提供SMD/SMT等安装方式功能,包装箱设计为在to-243AA以及Si技术中工作,该装置也可以用作表面安装型。此外,信道数量为1信道,该设备在SOT-89-3供应商设备包中提供,该设备具有单双漏极配置,FET类型为MOSFET N信道,金属氧化物,最大功率为1.5W,晶体管类型为1 N信道,漏极到源极电压Vdss为60V,输入电容Cis-Vds为166pF@40V,FET特性为标准,电流连续漏极Id 25°C为1.9A(Ta),最大Id Vgs的Rds为250 mOhm@1.8A,10V,Vgs最大Id为3V@250μA,栅极电荷Qg Vgs为3.2nC@10V,Pd功耗为2.6W,下降时间为2 ns,上升时间为1.4 ns,Vgs栅极-源极电压为20 V,Id连续漏极电流为2.2 A,Vds漏极-源极击穿电压为60V,Rds漏极漏极-漏极电阻为250m欧姆,晶体管极性为N沟道,典型关断延迟时间为4.9ns,典型接通延迟时间为1.8ns,沟道模式为增强。
ZXMN6A07Z,带有ZETEX制造的用户指南。ZXMN6A07Z采用SOT-89封装,是FET的一部分-单个。
ZXMN6A07Z-7-88,带有ZETEX制造的电路图。ZXMN6A07Z-7-88采用SOT89封装,是IC芯片的一部分。