9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZVN425ZTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZVN425ZTA参考价格为0.95000美元。Diodes Incorporated ZVN425ZTA封装/规格：MOSFET N-CH 250V 240MA SOT89-3。您可以下载ZVN425ZTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZVN425E6TA是MOSFET N-CH 250V 230MA SOT-23-6，包括ZVN4255系列，它们设计用于切割胶带（CT）替代包装包装，单位重量如数据表注释所示，用于0.000529盎司，提供SMD/SMT等安装方式功能，包装盒设计用于SOT-23-3，以及Si技术，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供1通道数量的通道，该器件具有供应商器件封装的SOT-23-6，配置为单四漏极，FET类型为MOSFET N通道，金属氧化物，最大功率为1.1W，晶体管类型为1 N通道，漏极到源极电压Vdss为250V，输入电容Ciss Vds为72pF@25V，FET特性为标准，电流连续漏极Id 25°C为230mA（Ta），最大Id Vgs上的Rds为8.5 Ohm@500mA，10V，Vgs最大Id为1.8V@1mA，栅极电荷Qg Vgs为3.65nC@10V，Pd功耗为1.1W，其最大工作温度范围为+150 C，它的最小工作温度范围为-55℃，下降时间为1.7纳秒，上升时间为1.7 ns，Vgs栅源电压为40 V，Id连续漏电流为230 mA，Vds漏源击穿电压为250 V，Rds导通漏源电阻为9.5欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为11.4纳秒，典型开启延迟时间为1.25ns，信道模式为增强。
ZVN425GTA是MOSFET N-CH 250V 310MA SOT223，包括40 V Vgs栅极-源极电压，它们设计为在250 V Vds漏极-源极击穿电压下工作，单位重量显示在数据表注释中，用于0.000282盎司，提供典型的开启延迟时间功能，如1.25 ns，典型的关闭延迟时间设计为11.4 ns，该器件也可以用作N沟道晶体管极性。此外，该技术为Si，该器件为ZVN4255系列，该器件的上升时间为1.7 ns，漏极电阻Rds为9.5欧姆，Pd功耗为2 W，封装为卷轴式，封装外壳为SOT-223-3，通道数为1通道，安装类型为SMD/SMT，其最低工作温度范围为-55 C，其最大工作温度范围为+150℃，Id连续漏电流为310 mA，下降时间为3.5 ns，配置为单双漏，通道模式为增强。
ZVN425G，带有ZETEX制造的电路图。ZVN425G采用SOT-223封装，是IC芯片的一部分。
