9icnet为您提供由Diodes公司设计和生产的ZXMN3B01FTA，该产品在9icnet现场销售，可通过原厂和代理商等渠道购买。ZXMN3B01FTA参考价格为0.58000美元。Diodes Incorporated ZXMN3B01FTA封装/规格：MOSFET N-CH 30V 1.7A SOT23-3。您可以下载ZXMN3B01FTA英文数据、引脚图、数据表数据表功能手册，该数据包含二极管整流器的详细引脚图、功能、电压、使用方法和教程的应用电路图。
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ZXMN3AMCTA是MOSFET 2N-CH 30V 2.9A DFN，包括ZXMN3系列，它们设计为与Digi-ReelR替代封装一起工作，安装方式如SMD/SMT中使用的数据表注释所示，提供封装盒功能，如8-WDFN暴露焊盘，技术设计为在Si中工作，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ），该装置也可以用作表面安装型。此外，信道数为2信道，该设备采用8-DFN（3x2）供应商设备包提供，该设备具有双重配置，FET类型为2 N信道（双重），最大功率为1.7W，晶体管类型为2 N-信道，漏极至源极电压Vdss为30V，输入电容Cis-Vds为190pF@25V，FET特性为逻辑电平门，电流连续漏极Id 25°C为2.9A，最大Id Vgs的Rds为120 mOhm@2.5A，10V，Vgs最大Id为3V@250μA，栅极电荷Qg Vgs为3.9nC@10V，Pd功耗为2.45 W，最大工作温度范围为+150 C，最小工作温度范围-55 C，下降时间为2.9 ns，上升时间为2.3 ns，Vgs栅极-源极电压为20V，Id连续漏极电流为3.7A，Vds漏极-源极击穿电压为30V，Rds导通-漏极-漏极电阻为120m欧姆，晶体管极性为N沟道，典型关断延迟时间为6.6ns，典型接通延迟时间为1.7ns，Qg栅极电荷为3.9nC，正向跨导最小值为3.5S，信道模式是增强。
ZXMN3AM832TA是MOSFET 2N-CH 30V 2.9A 8MLP，包括1V@250μA（Min）Vgs th Max Id，它们设计为与8-MLP（3x2）供应商设备包一起工作，Rds On Max Id Vgs显示在数据表注释中，用于120 mOhm@2.5A，10V，提供1.13W等功率最大功能，其工作温度范围为-55°C~150°C（TJ）。此外，安装类型为表面安装，该器件提供190pF@25V输入电容Ciss Vds，该器件具有3.9nC@10V栅极电荷Qg Vgs，FET类型为2 N沟道（双），FET特性为逻辑电平门，漏极到源极电压Vdss为30V，25°C电流连续漏极Id为2.9A。
ZXMN3B01F，电路图由DIODES制造。ZXMN3B01F采用SOT-23封装，是FET的一部分-单个。
